17:45 〜 18:15 [7p-C18-10] 触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成- 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して - 〇佐道 泰造1、宮尾 正信1、角田 功2 (1.九大システム情報、2.熊本高専)