16:00 〜 16:15 △ [7p-S22-10] Si基板上に作製したInAlN系MIS-HEMTのデバイス特性 〇吉田 智洋1、山下 良美2、眞壁 勇夫1、渡邊 一世2、笠松 章史2、中田 健1、井上 和孝1 (1.住友電工、2.情報通信研究機構)