16:45 〜 17:00 [7p-S22-13] GaN HEMTのゲート形状とゲート金属残留応力がゲートリーク電流に与える影響のデバイスシミュレーションによる検討 〇大石 敏之1、山口 裕太郎2、山中 宏治2 (1.佐賀大学、2.三菱電機)