15:15 〜 15:30 [8p-A301-8] Si基板上へのGaN系THz-QCL構造のMOCVD成長と評価 〇(B)石黒 稔也1,2、藤川 紗千恵3、王 科1、前田 哲利1、町田 龍人2、藤代 博記2、平山 秀樹1 (1.理研、2.東理大基礎工、3.東京電機大工)