[7p-PB3-1~6] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2017年9月7日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (国際センター2F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 15:30

[7p-PB3-1] ポテンシャル制御の劣化度合いと量子トンネル電流の比較解析によるチャネル電子の有効方程式がFET特性に及ぼす影響の解明

〇橋本悠希¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

〇對馬広隆¹、工藤嗣友²、菅原文彦¹ (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)

13:30 〜 15:30

〇清水良馬¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

〇松田和典¹、長岡史郎²、神田洋三³ (1.徳文大理工、2.香川高専電子、3.東洋大工)

13:30 〜 15:30

〇比嘉友大¹、武田さくら¹、江波戸達也¹、米田允俊¹、藤中秋輔¹、森田一帆¹、森本夏輝¹、Ang Kevin²、Tan Xin¹、大門寛¹、筒井一生³ (1.奈良先端科学技術大学、2.名古屋工業大学、3.東京工業大学)

13:30 〜 15:30

〇川上雅之¹、矢野大作¹、山中弘次¹、荒木浩之²、宮勝彦³、鈴木政典⁴、川瀬信雄⁵ (1.オルガノ、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ、3.SCREENホールディングス、4.テクノ菱和、5.ジョイNテック)