一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
09:00 〜 09:15
〇加藤 弘一1、福谷 克之1 (1.東大生産研)
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09:15 〜 09:30
〇(M2)中根 滉稀1、富田 基裕1,2、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.学振特別研究員)
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09:30 〜 09:45
〇野村 啓太1,2、井辻 宏章1,2、小林 大輔1,2、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研)
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09:45 〜 10:00
〇(D)ChinHan Chung1,2、Daisuke Kobayashi1,2、Kazuyuki Hirose1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.ISAS/JAXA)
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10:00 〜 10:15
〇井辻 宏章1,2、小林 大輔1,2、川崎 治3、松浦 大介4、成田 貴則4、加藤 昌浩4、石井 茂4、益川 一範4、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研、3.JAXA研開部門、4.三菱重工業（株）)
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10:30 〜 10:45
〇張江 貴大1,2、小林 大輔2、山本 知之1、廣瀬 和之1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)
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10:45 〜 11:00
〇阪本 大樹1、下間 靖彦1、坂倉 政明2、三浦 清貴1、八戸 啓3 (1.京大院工、2.次世代レーザープロセッシング技術研究組合、3.株式会社プラウド)
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11:00 〜 11:15
〇(DC)工藤 聡也1、Mailig R.M.D.1、石松 慎1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
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11:15 〜 11:30
村田 晃一1,2、〇三木 一司1,2,5、Kirkham Christopher1,2,3、坪松 悟史1,2、金澤 孝1,2、新田 清文4、寺田 靖子4、宇留賀 朋哉4、日塔 光一1、David R. Bowler1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.LCN-UCL、4.JASRI、5.兵庫県立大)
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11:30 〜 11:45
〇滝沢 優1、畑 彰宏1、光原 圭1、田中 武司1 (1.立命館大)
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