一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
09:00 〜 09:15
〇木瀬 信和1、岩田 真次郎1、青沼 遼介1、宮本 恭幸1 (1.東工大工)
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09:15 〜 09:30
〇大澤 一斗1、金澤 徹1、木瀬 信和1、雨宮 智宏1、宮本 恭幸1 (1.東工大)
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09:30 〜 09:45
〇高橋 剛1,2、河口 研一1,2、佐藤 優1,2、岡本 直哉1,2 (1.富士通、2.富士通研)
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09:45 〜 10:00
〇星 拓也1、山田 友輝1、名田 允洋1、白鳥 悠太1、魚本 幸2、島津 武仁2、松崎 秀昭1 (1.NTT先端集積デバイス研究所、2.東北大学)
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10:00 〜 10:15
〇山條 翔二1、梁 剣波1、ソダーバンル ハッサネット2、渡辺 健太郎2、杉山 正和2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.東大先端研)
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10:30 〜 10:45
〇梁 剣波1、桝谷 聡士2、嘉数 誠2、Zhou Yan3、Gucmann Filip3、Singh Manikant3、Pomeroy James3、Kuball Martin3、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.佐賀大理工、3.ブリストル大)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)Niloy Chandra Saha1、Makoto Kasu1 (1.Saga Univ.)
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11:00 〜 11:15
〇(M2)舟木 浩祐1、石松 裕真1、桝谷 聡士1、宮崎 恭輔1、大島 孝仁1、嘉数 誠1、大石 敏之1 (1.佐大院工)
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11:15 〜 11:30
〇(B)岩瀧 雅幸1、大井 信敬1、工藤 拓也1、牟田 翼1、大久保 智1、露崎 活人1、蔭浦 泰資1、稲葉 優文1,2、平岩 篤1、川原田 洋1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)
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