一般セッション(口頭講演)
[5p-C18-8~21] 【CS.10】10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術),10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術のコードシェアセッション
14:45 〜 15:15
〇塩田 陽一1、 野崎 隆行1、 田丸 慎吾1、 薬師寺 啓1、 久保田 均1、 福島 章雄1、 湯浅 新治1、 鈴木 義茂2 (1.産総研、2.阪大)
15:15 〜 15:30
〇Tatsuya Yamamoto1、 Yoichi Shiota1、 Takayuki Nozaki1、 Takuro Ikeura1,2、 Shingo Tamaru1、 Kay Yakushiji1、 Hitoshi Kubota1、 Akio Fukushima1、 Yoshishige Suzuki1,3、 Shinji Yuasa1 (1.AIST、2.Tsukuba Univ.、3.Osaka Univ.)
15:30 〜 15:45
〇(D)Qingyi Xiang1,2、 Sukegawa Hiroaki1、 Mufta Al-Mahdawi1、 Mohamed Belmoubarik1、 Shinya Kasai1、 Yuya Sakuraba1、 Seiji Mitani1,2、 Kazuhiro Hono1,2 (1.NIMS、2.Univ. Tsukuba)
15:45 〜 16:00
〇(DC)Joko Suwardy1、 Kohei Nawaoka1、 Minori Goto1,2、 Yoshishige Suzuki1,2、 Shinji Miwa1,2 (1.Osaka Univ、2.CSRN)
16:00 〜 16:15
〇Takamasa Hirai1、 Ryuhei Kohno1、 Yuki Hibino1、 Tomohiro Koyama1、 Daichi Chiba1 (1.The Univ. of Tokyo)
16:15 〜 16:30
〇Tomohiro Taniguchi1 (1.SRC, AIST)
16:30 〜 17:00
〇軽部 修太郎1、 近藤 浩太2、 大谷 義近1 (1.東大、2.理研)
17:15 〜 17:30
〇Takuya Tsukahara1、 Motohiro Suzuki2、 Takeshi Kawabe1、 Koki Shimose1、 Taishi Furuta1、 Risa Miyakaze1、 Kohei Nawaoka1、 Minori Goto1,4、 Takayuki Nozaki3、 Shinji Yuasa3、 Yoshinori Kotani2、 Kentaro Toyoki2、 Tetsuya Nakamura2、 Yoshishige Suzuki1,4、 Shinji Miwa1,4 (1.Osaka Univ.、2.JASRI、3.AIST、4.CSRN)
17:30 〜 17:45
〇Risa Miyakaze1、 Kouhei Nawaoka1、 Minori Goto1,3、 Yoshishige Suzuki1,2,3、 Shinji Miwa1,3 (1.Osaka Univ.、2.NIMS、3.CSRN)
17:45 〜 18:00
〇Fuyuki Ando1、 Kihiro Yamada1、 Tomohiro Koyama2、 Mio Ishibashi1、 Yoichi Shiota1、 Takahiro Moriyama1、 Daichi Chiba2、 Teruo Ono1,3 (1.ICR, Kyoto Univ.、2.The Univ. of Tokyo、3.CSRN)
18:00 〜 18:15
〇(D)Yuki Hibino1、 Takamasa Hirai1、 Kento Hasegawa1、 Tomohiro Koyama1、 Daichi Chiba1 (1.Univ. of Tokyo)
18:15 〜 18:30
〇(P)Samik Duttagupta2,1、 Chaoliang Zhang2,3、 Shunsuke Fukami1,2,3,4、 Hideo Ohno1,2,3,4,5 (1.CSRN Tohoku Univ.、2.RIEC Tohoku Univ.、3.CSIS Tohoku Univ.、4.CIES Tohoku Univ.、5.WPI-AIMR Tohoku Univ.)
18:30 〜 18:45
〇Masahiro Takikawa1,2、 Kazuya Suzuki1、 Reza Ranjbar1、 Sigemi Mizukami1 (1.WPI-AIMR Tohoku Univ.、2.Tohoku Univ.)
18:45 〜 19:00
▲ [5p-C18-21] Origin of Threshold Current Density for Asymmetric Magnetoresistance in Pt/Py Bilayers
〇TIAN LI1、 Sanghoon kim1、 Seung-Jae Lee2、 Seo-Won Lee2、 Tomohiro Koyama3、 Daichi Chiba3、 Takahiro Moriyama1、 Kyung-Jin Lee2、 Kab-Jin Kim1,4、 Teruo Ono1,5 (1.Kyoto Univ.、2.Korea Univ.、3.Univ. of Tokyo、4.KAIST、5.CSRN)