[5a-A203-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5a-A203-8] コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析

〇(M2)唐本 祐樹¹、張 旭芳¹、岡本 大¹、染谷 満²、畠山 哲夫²、原田 信介²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、コンダクタンス法

ドライ酸化を行ったp型4H-SiC MOSキャパシタの特性をコンダクタンス法で解析した。得られた曲線は1つのガウス曲線ではフィッティングできないため、高周波と低周波の2つの成分を考えた。高周波応答を解析すると、ドナー型界面準位に由来すると考えられる結果が得られた。ドライ酸化SiO₂/SiC界面の価電子帯端付近には、応答の速い界面準位と応答の遅い酸化膜内準位の2種類が存在していると考えられる。