11:00 〜 11:15 [5a-A203-8] コンダクタンス法によるp型SiC MOSキャパシタ界面特性の解析 〇(M2)唐本 祐樹1、張 旭芳1、岡本 大1、染谷 満2、畠山 哲夫2、原田 信介2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研)