[5a-A204-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5a-A204-8] Surface passivation of crystalline Si with single-side textures by Cat-CVD SiN_x films

〇Jing Liu¹, Seimei Akagi², Yuzo Yamamoto², Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Settsu Oil Mill, Inc.)

Keywords:c-si solar cells, Passivation, SiNx, texture, Cat-CVD

片面に1–2 µmの微細なテクスチャー構造を持つ結晶Si表面に対するCat-CVD SiN_xパッシベーション膜の適用を検討した。平坦基板で2.6 ms程度の少数キャリア寿命が得られる屈折率~2.0、膜厚~100 nmのSiN_x膜を用いることで、350 °Cでのポストアニール後、2.3 msを超える実効少数キャリア寿命が得られ、微細テクスチャー上においても良好なパッシベーション性能が実現できることを確認した。