11:00 AM - 11:15 AM
[5a-A204-8] Surface passivation of crystalline Si with single-side textures by Cat-CVD SiNx films
Keywords:c-si solar cells, Passivation, SiNx, texture, Cat-CVD
片面に1–2 µmの微細なテクスチャー構造を持つ結晶Si表面に対するCat-CVD SiNxパッシベーション膜の適用を検討した。平坦基板で2.6 ms程度の少数キャリア寿命が得られる屈折率~2.0、膜厚~100 nmのSiNx膜を用いることで、350 °Cでのポストアニール後、2.3 msを超える実効少数キャリア寿命が得られ、微細テクスチャー上においても良好なパッシベーション性能が実現できることを確認した。