[5a-A204-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[5a-A204-8] Cat-CVD SiN_x膜による片面テクスチャー結晶Si表面のパッシベーション

〇劉 静¹、赤木 成明²、山本 裕三²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.攝津製油)

キーワード：c-Si太陽電池、パッシベーション、SiNx、テクスチャー、Cat-CVD

片面に1–2 µmの微細なテクスチャー構造を持つ結晶Si表面に対するCat-CVD SiN_xパッシベーション膜の適用を検討した。平坦基板で2.6 ms程度の少数キャリア寿命が得られる屈折率~2.0、膜厚~100 nmのSiN_x膜を用いることで、350 °Cでのポストアニール後、2.3 msを超える実効少数キャリア寿命が得られ、微細テクスチャー上においても良好なパッシベーション性能が実現できることを確認した。