[5a-A204-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [5a-A204-9] コロナ放電とレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を併用したSiN_x/Si 界面のポテンシャル評価

〇伊藤 明¹、望月 敏光³、中西 英俊¹、川山 巌²、斗内 政吉²、白澤 勝彦³、高遠 秀尚³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.産総研FREA)

キーワード：太陽電池、テラヘルツ波、パッシベーション膜

コロナ放電とレーザーテラヘルツ放射顕微鏡を利用し、単結晶Siウェハに屈折率の異なるSiN_x膜を堆積させたサンプル間の比較評価を行った。その結果、屈折率が2.0ではこれまで同様コロナ量が増加するとTHz波ピーク振幅強度が反転したが、屈折率2.1ではTHz波振幅強度が負にならないことを確認した。これは膜の導電率の違いによるものと考えられる。このことからイオンに対する絶縁膜の導電性の影響を加味したパッシベーション技術評価に利用できると考えている。