[5a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[5a-A301-6] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気特性評価

〇森野 健太¹、藤井 高志^1,3、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹、長島 健²、岩本 敏志³、佐藤 幸徳³ (1.立命館大理工、2.摂南大、3.日邦プレシジョン)

キーワード：THz時間領域分光エリプソメトリー、窒化インジウム、ホール効果測定

我々はGaNテンプレート上にDERI法を用いて成長したInN薄膜についてTHz-TDSEによる電気的特性評価を行った．ECV測定の結果から表面電荷蓄積層が存在することがわかっており，その層が薄膜内部と異なる物性値を持つと仮定して光学解析を行った．InN薄膜内部の移動度は，ホール効果測定で得られる移動度より大きな値を示しており，表面電荷蓄積による影響の軽減が電気特性改善へ有効であると考えられる．