2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年9月5日(火) 09:00 〜 12:00 C11 (事務室1)

小山 正人(東芝)、大田 晃生(名大)

09:15 〜 09:30

[5a-C11-2] プラズマ窒化処理によるGeO2膜の吸湿性改善の検討

関谷 陽介1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)

キーワード:ゲート絶縁膜、窒化処理、ゲルマニウム