[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[5a-C11-4] CVD-GeO2/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

〇羽田野 拓己¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院・工)

キーワード：半導体