[5a-C11-1~11] 13.3 Insulator technology

[5a-C11-9] A study on high-k HfN film formation utilizing ECR-N₂ plasma nitridation

〇Shin Ishimatsu¹, Rengie Mark Mailig¹, Sohya Kudoh¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst.)

Keywords:insulator film, nitridation

これまで、我々はECRスパッタ法を用いて、HfNゲート積層構造を、Ar/N₂プラズマを用いてin-situで形成することにより、MISFETの電気特性が向上することを報告してきた。今回、堆積したHfNをN₂プラズマにより窒化することで、堆積時のダメージを低減し、高誘電率HfN薄膜の電気特性向上に関する検討を行ったので報告する。