[5a-C11-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[5a-C11-9] ECR-N₂プラズマ窒化による高誘電率HfN絶縁膜の形成に関する検討

〇石松 慎¹、Mailig Rengie Mark¹、工藤 聡也¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工)

キーワード：絶縁膜、窒化

これまで、我々はECRスパッタ法を用いて、HfNゲート積層構造を、Ar/N₂プラズマを用いてin-situで形成することにより、MISFETの電気特性が向上することを報告してきた。今回、堆積したHfNをN₂プラズマにより窒化することで、堆積時のダメージを低減し、高誘電率HfN薄膜の電気特性向上に関する検討を行ったので報告する。