2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月5日(火) 09:30 〜 12:15 C17 (研修室2)

大島 孝仁(佐賀大)

10:00 〜 10:15

[5a-C17-3] 超低損失Ga2O3トレンチMOS型ショットキーバリアダイオード

佐々木 公平1,2、ティユ クァン トゥ1、脇本 大樹1,2、小石川 結樹1,2、倉又 朗人1,2、山腰 茂伸1,2 (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所)

キーワード:酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、トレンチMOS