[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-3] 超低損失Ga₂O₃トレンチMOS型ショットキーバリアダイオード

〇佐々木 公平^1,2、ティユ クァン　トゥ¹、脇本 大樹^1,2、小石川 結樹^1,2、倉又 朗人^1,2、山腰 茂伸^1,2 (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、トレンチMOS