[5a-C17-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[5a-C17-8] 耐圧3kV超縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードの設計

〇林 家弘¹、ワン マンホイ¹、小西 敬太²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、フィールドプレートショットキーバリアダイオード、ガードリング

縦型フィールドプレートGa₂O₃ショットキーバリアダイオード (FP-SBD)の高耐圧化を目指すため、アノードとFP電極のエッジ下部にガードリング (GR) を追加したデバイス構造について、シミュレーションにより設計を行った。GR無しFP-SBDにおける逆方向電圧を印加した場合、アノードとFP電極のエッジに強い電界集中が発生したが、GR構造を有したFP-SBD場合、GRとドリフト層の界面付近に電界が分散され、デバイスにある最大電界強度も抑えられることが分った。