2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月5日(火) 09:00 〜 11:30 C21 (C21)

影山 健生(東大)

10:45 〜 11:00

[5a-C21-7] GaAs(311)B基板上のInGaAs/AlGaAs積層量子ドット成長

〇(M2)松岡 絢香1、庄司 靖2、玉置 亮1,2、岡田 至崇1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード:量子ナノ構造