[5a-C21-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5a-C21-8] ATLAS法により作製したIn_xGa_1-xAs/InAs/GaAs(111)Aの構造解析

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、佐久間 芳樹¹ (1.物材機構)

キーワード：InGaAs、メタモルフィック、X線回折

我々は、簡便にメタモルフィックInGaAsを実現する手法として、GaAs(111)A基板上にInAs薄膜を成長した際に界面で生じる特異な格子緩和機構を利用した新しい手法を提案し、これをATLAS法と名付けて研究を進めている。これまでは主に低In組成のInGaAs成長について報告してきたが、今回、高In組成のIn_xGa_1-xAs 成長に適用し、その構造解析を行ったので報告する。