[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [5p-A202-12] 抵抗変化メモリ特性のHf酸化物スパッタ条件依存性

〇(M1)東 篤志¹、中島 諒¹、吉田 勇人¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大学システム理工)

キーワード：抵抗変化メモリ