[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [5p-A202-14] 金属/酸化物接合における界面金属層による酸素欠陥生成効果の評価

〇中川 良祐¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：金属/酸化物接合、抵抗変化メモリ、欠陥導入層