[5p-A202-1~18] 6.3 Oxide electronics

[5p-A202-16] Flexible resistive switching memory with solution-processed silicon-nanocrystal thin film

〇Takeshi Kawauchi¹, Shinya Kano¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:solution process, flexible, resistive switching memory

ウェアラブルデバイスへの搭載を見据えて、フレキシブルメモリの研究が行われている。フレキシブル基板上に抵抗変化層を塗布して形成する、フレキシブル抵抗変化型メモリ（ReRAM）が特に注目されている。我々はフレキシブルReRAMの抵抗変化層の候補として、我々が開発したシリコン(Si)ナノ結晶コロイドを塗布した薄膜に着目している。今回は、このSiナノ結晶塗布薄膜をフレキシブル基板上に成膜しフレキシブル抵抗変化型メモリを作製したことについて発表する。