[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-16] シリコンナノ結晶塗布薄膜によるフレキシブル抵抗変化型メモリ

〇河内 剛史¹、加納 伸也¹、藤井 稔¹ (1.神戸大院工)

キーワード：塗布プロセス、フレキシブル、抵抗変化型メモリ

ウェアラブルデバイスへの搭載を見据えて、フレキシブルメモリの研究が行われている。フレキシブル基板上に抵抗変化層を塗布して形成する、フレキシブル抵抗変化型メモリ（ReRAM）が特に注目されている。我々はフレキシブルReRAMの抵抗変化層の候補として、我々が開発したシリコン(Si)ナノ結晶コロイドを塗布した薄膜に着目している。今回は、このSiナノ結晶塗布薄膜をフレキシブル基板上に成膜しフレキシブル抵抗変化型メモリを作製したことについて発表する。