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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:00 A202 (202)

島久(産総研)、西佑介(京大)

14:15 〜 14:30

△ [5p-A202-5] Ag/WO_x/Pt平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇酒井慎弥¹、武藤恵¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、透過型電子顕微鏡