[5p-A202-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[5p-A202-7] 溶媒供給効果による抵抗変化メモリの動作機構解明

〇(M1)肥田 聡太¹、山崎 隆浩²、大野 隆央²、清水 敦史³、岸田 悟^1,4、木下 健太郎³ (1.鳥取大工、2.物材機構、3.東京理科大、4.TiFREC)

キーワード：抵抗変化メモリ、粒界、NiO