[5p-A204-1~9] シリコン結晶における不純物制御の科学 ～ゲッタリングが描くウェーハの未来像～

[5p-A204-8] クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

〇栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、ゲッタリング、固体撮像素子

CMOSイメージセンサの製品性能向上を意図してクラスターイオンビーム技術を用いてデバイスの活性層直下に重金属および軽元素をゲッタリングすることのできる３つのユニークな製品特徴のあるシリコンエピタキシャルウェーハを開発した。本講演において、新規開発ウェーハの製品特徴の詳細と実デバイス製造工程で得られたセンサの白傷欠陥、暗電流特性について紹介する。