[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5p-A301-3] トンネル接合を用いた低温成長p側構造LEDの作製

〇(M1)吉永 純也¹、市川 竜也¹、鈴木 健太¹、小出 典克¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大)

キーワード：半導体、長波長、トンネル接合

本研究では、高い発光効率を有する長波長発光素子実現を目指して、低温成長による低抵抗GaInNトンネル接合を用いた低温成長p側構造の作製を検討している。p-GaNおよびn-GaNの低温成長の検討結果と、それらを利用した低温成長p側構造を有する青、黄色LEDの結果を報告する。