[5p-A301-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [5p-A301-5] n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflector with graded structure

〇Wataru Muranaga¹, Takanobu Akagi¹, Shotaro Yoshida¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ, 2.Nagoya Univ)

Keywords:DBR, AlInN/GaN, Graded

我々はn型伝導を示すAl_0.82In_0.18N/GaN DBRを用いたVCSELの室温連続発振を報告した。その際、組成傾斜層を用いずとも良好な導電性が得られた。一方で、この40ペアDBRの反射率は理論値（99.9％）より低い99.4%であった。本研究では、n型伝導AlInN/GaN DBRのさらなる反射率の改善のための界面制御と、それに伴う導電性制御に関して検討した。その際、より急峻な界面を有するDBRでは意図的に組成傾斜層を用いる必要があったことを報告する。