[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [5p-A301-6] 組成傾斜AlGaNクラッド層を用いた深紫外レーザ

〇川瀬 雄太¹、袴田 淳哉¹、林 貴文¹、池田 隼也¹、岩山 章¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤崎 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名大・赤崎記念研)

キーワード：半導体、レーザ、紫外

本報告では、280 nm帯の活性層を用いて、組成傾斜構造を用いたクラッド層を光励起法によって系統的に評価したのでその結果に関して報告する。本研究では、上部AlGaNクラッド層に対して組成傾斜を適用した。組成傾斜を入れていないサンプルでは40 kW/cm2程度と低い閾値パワー密度で発振しており、組成傾斜を入れたサンプルは80 kW/cm2程度、偏光特性は明確なTEモードであった。以上から、組成傾斜構造でも低閾値でのレーザ発振が確認できた。