[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[5p-A301-7] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの形状制御

〇(M2)黒岩 宏紀¹、濱田 拓也¹、高橋 言緒²、井出 利英²、清水 三聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：選択成長、Fin-FET、側壁形状制御

GaN系半導体の選択成長は、Fin-FETのような立体チャネルトランジスタへの応用においても有望と考えられる。本研究ではトランジスタ応用に向けた選択成長パターンの平面方向依存性と成長条件による断面形状制御について検証した。GaN基板の(11-20)面に対し平行に配置したライン/スペース形状のSiNマスクを用いてGaNを選択再成長させ、MOCVD時のNH₃流量の調整を行うことでトランジスタ応用に適した側面が垂直に立つような形状制御が可能であることがわかった。