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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[5p-A301-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月5日(火) 13:15 〜 18:45 A301 (メインホール)

小島一信(東北大)、本田善央(名大)、齋藤義樹(豊田合成)

15:30 〜 15:45

△ [5p-A301-8] MgドープGaNのレーザー誘起による活性化とその局所制御

〇(M1)松本滉太¹、黒瀬範子²、下野貴史¹、岩田直高¹、山田郁彦¹、神谷格¹、青柳克信² (1.豊田工大、2.立命大)

キーワード：MgドープGaN、活性化、熱処理