[5p-A503-1~15] 9.4 Thermoelectric conversion

[5p-A503-1] Seebeck effect of FeSe ultrathin films

〇Sunao Shimizu¹, Junichi Shiogai², Tsutomu Nojima², Atsushi Tsukazaki², Yoshihiro Iwasa^1,3 (1.RIKEN CEMS, 2.IMR, Tohoku Univ., 3.QPEC&Dept. Appl. Phys., Univ. of Tokyo)

Keywords:FeSe, Seebeck effect, field effect transistor

本講演では、FeSe薄膜におけるゼーベック効果の膜厚依存性を報告する。我々はイオン液体中で熱電効果を測定する方法を開発し様々な半導体材料に適用してきたが、本研究ではこの手法をさらに発展させ、イオン液体との界面における電気化学エッチングによりFeSeの膜厚を単層まで連続的にコントロールしながら測定することも可能にした。当日は、実験結果の詳細を報告し、低いT_c と高いT_c（~ 40 K）を持つ状態におけるゼーベック効果の違いなど、FeSe極薄膜の熱電応答について議論したい。