The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[5p-C11-1~10] 13.3 Insulator technology

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

Tue. Sep 5, 2017 1:45 PM - 4:30 PM C11 (Office 1)

Masao Inoue(Renesas), Takanobu Watanabe(Waseda Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[5p-C11-2] Control of formation and suppression of dipole layer at Al2O3/SiO2 interface
-Impacts of chemical composition abruptness at the interface-

Hironobu Kamata1, Koji Kita1 (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:high-k, dipole, Al2O3

我々はこれまでにAl2O3/SiO2の繰り返し構造を持つMOSキャパシタにおいて、Al2O3-on-SiO2界面のダイポール層のみを選択的に発現させることで+1 V以上のフラットバンド電圧シフトを実証したが、実際にダイポール層の生成・抑制を決定する因子の特定には至っていない。そこで界面混合層としてAl2SiO5膜を用いAl2O3/SiO2界面の組成急峻性がダイポール層の生成・抑制に与える効果を検証した結果、Al2O3-SiO2の系では界面混合によるダイポール層の抑制は起きなかった。