The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.3 Insulator technology

[5p-C11-1~10] 13.3 Insulator technology

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

Tue. Sep 5, 2017 1:45 PM - 4:30 PM C11 (Office 1)

Masao Inoue(Renesas), Takanobu Watanabe(Waseda Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[5p-C11-1] Improved bias stability atomic-layer-deposition Al2O3 films by crystallizing high-temperature annealing

〇(B)Kiyotaka Horikawa1, Satoshi Okubo1, Taisuke Kageura1, Atsushi Hiraiwa2,3,4, Hiroshi Kawarada1,2,3 (1.Waseda Univ., 2.Zairean, 3.NTRC, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:ALD, Al2O3, anneal

結晶化高温アニールによる原子層堆積(atomic layer deposition、ALD)法により形成した Al2O3膜のフラットバンド電圧変動の低減が観測された。この結晶化とVfb変動との相関およびそのリーク電流に及ぼす影響を含め、高温アニールによるVfb変動低減効果を報告する。