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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年9月5日(火) 13:45 〜 16:30 C11 (事務室1)

井上真雄(ルネサス)、渡邉孝信(早大)

14:30 〜 14:45

[5p-C11-4] XPSによるHigh-k/SiO₂界面のダイポール定量と酸素密度比との相関

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：XPS、ダイポール、high-k/SiO2界面