[5p-C11-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[5p-C11-9] Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

〇名倉 拓哉¹、川内 伸悟¹、長川 健太¹、白川 裕規¹、洗平 昌晃^1,2,6、影島 博之^3,6、遠藤 哲郎^4,5,6、白石 賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

キーワード：シリコン、第一原理計算