[5p-C17-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [5p-C17-2] Thermal Stability of SiO₂/GaN Interface Formed by Remote Plasma CVD

〇TRUYEN XUAN NGUYEN^1,2, Noriyuki Taoka², Akio Ohta¹, Hisashi Yamada², Tokio Takahashi², Mitsuhisa Ikeda¹, Katsunori Makihara¹, Mitsuaki Shimizu², Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya University, 2.AIST GaN-OIL)

Keywords:SiO2/GaN, remote plasma CVD

SiO₂/GaN構造において、SiO₂堆積後の高温(≥800 ºC)熱処理(PDA)は、SiO₂膜中へのGaの拡散引き起こし、SiO₂表面に島状構造を形成することが報告されている。このGa拡散には界面酸化や界面Ga酸化物の熱的安定性が関与すると考えられる。したがって、SiO₂堆積膜の緻密化と界面特性の向上を意図したPDAでは、界面酸化層の制御が重要となる。最近、我々は、リモートプラズマCVDによりGa酸化物がほとんどみられない組成急峻なSiO₂/GaN界面の形成に成功した。本研究では、この組成急峻なSiO₂/GaN界面について、PDAが界面特性に与える影響を調べた。