[5p-C17-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [5p-C17-2] リモートプラズマCVD SiO₂/GaN界面の熱安定性

〇グェン スァン チュン^1,2、田岡 紀之²、大田 晃生¹、山田 永²、高橋 言緒²、池田 弥央¹、牧原 克典¹、清水 三聡²、宮崎 誠一¹ (1.名古屋大学、2.産総研　GaN-OIL)

キーワード：SiO2/GaN、リモートプラズマCVD

SiO₂/GaN構造において、SiO₂堆積後の高温(≥800 ºC)熱処理(PDA)は、SiO₂膜中へのGaの拡散引き起こし、SiO₂表面に島状構造を形成することが報告されている。このGa拡散には界面酸化や界面Ga酸化物の熱的安定性が関与すると考えられる。したがって、SiO₂堆積膜の緻密化と界面特性の向上を意図したPDAでは、界面酸化層の制御が重要となる。最近、我々は、リモートプラズマCVDによりGa酸化物がほとんどみられない組成急峻なSiO₂/GaN界面の形成に成功した。本研究では、この組成急峻なSiO₂/GaN界面について、PDAが界面特性に与える影響を調べた。