2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年9月5日(火) 13:45 〜 17:15 C21 (C21)

満原 学(NTT)、赤羽 浩一(NICT)

13:45 〜 14:00

[5p-C21-1] 希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響

〇(M2)宮島 数喜1、八木 修平1、庄司 靖2、岡田 至崇2、矢口 裕之1 (1.埼大理工、2.東大先端研)

キーワード:GaAsN、分子線エピタキシー、希釈窒化物半導体