[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-2] MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBiの表面偏析

〇(M1)塚本 晟¹、伊藤 瑛悟¹、檜垣 興一郎¹、田中 佐武郎¹、石川 史太郎¹、下村 哲¹ (1.愛媛大学)

キーワード：半導体、GaAsBi、偏析

MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸をSTEM(Scanning Transmission Electron Microscope)及びEDS(Energy Dispersive Spectroscorpy)により調べ、求めたBi組成のプロファイルを解析した。