[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-3] ２温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性

〇樋口 憧生¹、佐々木 大志¹、塚本 晟¹、伊藤 瑛悟¹、山田 光起¹、パティル パラビ¹、石川 史太郎¹、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：GaAsBi、LED、温度特性

2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸(MQW)を活性層に持つLEDの温度特性を測定した。EL ピークは260 Kで1200 nm, 170 Kで1177 nmに観測された。温度を下げるにしたがい, ピーク発光波長は徐々に短波長側に移動し, その温度係数は0.26 nm/Kであった. また, 発光スペクトルの半値幅は約100 nmで、ほとんど温度に依存しないことが明らかになった。