[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-7] (111)面InP基板上のInGaAs/InAlAs歪量子井戸のMBE成長

〇河村 裕一¹、谷口 あずさ¹ (1.大阪府立大工)

キーワード：化合物半導体、量子井戸構造

InP基板のInGaAs/InAlAs量子井戸構造は波長1.3～1.5μｍ帯の光通信用レーザーや波長4～6μm帯の中赤外量子カスケードレーザーの材料として有用である。従来の素子は(100)面InP基板上に成長されているが、(111)面上で高品質の結晶が得られれば、発振閾値の低下や、量子カスケードレーザーの第二高調波での発振が実現可能である。今回、InGaAs/InAlAs歪量子井戸構造を(111)B面InP基板上に作製し(100)InP基板に作製したものと比較したのでその結果を報告する。