[5p-PA1-1~82] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[5p-PA1-65] Gate interface modification for performance improvement of layered material FET

〇Kyosuke Harada¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, atomic layer deposition, high-k dielectric gate oxide film

バンドギャップを持ち，表面が平坦かつ不活性な層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイドを電界効果トランジスタのチャネル層として用いることが検討されている。一方，高誘電率絶縁膜の成長手法として，原子層堆積(ALD)法が注目されている。本研究では，層状物質チャネル上にALD成長した絶縁膜の構造解析を行った。MoSe₂上に直接ALD成長した絶縁膜は不均一であったが，ポリビニルアルコールのバッファー層上では均一な膜が得られた。