[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-65] 層状物質電界効果トランジスタの高性能化のためのゲート界面改質

〇原田 恭介¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：層状物質、原子層堆積、高誘電率ゲート酸化膜

バンドギャップを持ち，表面が平坦かつ不活性な層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイドを電界効果トランジスタのチャネル層として用いることが検討されている。一方，高誘電率絶縁膜の成長手法として，原子層堆積(ALD)法が注目されている。本研究では，層状物質チャネル上にALD成長した絶縁膜の構造解析を行った。MoSe₂上に直接ALD成長した絶縁膜は不均一であったが，ポリビニルアルコールのバッファー層上では均一な膜が得られた。