[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-66] 電界効果近接場法によるMoTe₂薄膜の構造制御

〇野崎 純司¹、西留 比呂幸¹、上野 啓司²、蓬田 陽平¹、柳 和宏¹ (1.首都大理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、近接場分光、構造制御

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）は、レーザー加熱やキャリア注入等によりエッチングや構造転移が可能であることが報告されている。これらの技術について、より空間分解能や制御性を改善させることができれば、例えば、半導体相と金属相の伝導相が異なる領域を二次元内に精密かつ自在に形成可能となり、それは、界面一次元系の物性探索や低消費電力FETの実現に繋がる為、TMDCの基礎・応用の両面で極めて重要である。本研究では、レーザー加熱による2H-1T構造変化が可能であると報告されているMoTe₂薄膜に対して、電界効果近接場法を用いてその局所構造変化を回折限界以下の空間分解能で実現することを目標に実験をおこなった。